Гибкий транзистор

Фото: TU Wien

Учёные из Венского технологического университета (на фото) создали реконфигурируемый полевой транзистор (RFET), который теоретически позволит сократить энергопотребление электронных схем за счёт их оперативной переконфигурации.

Вместо легирования полупроводника (создания в нём донорных и акцепторных примесей) с помощью лучевой ионной имплантации или других методов предложено «электростатическое легирование». Для этого добавлен управляющий электрод, электрическое поле которого задаёт нужные характеристики полупроводника в области канала.

Рисунок: TU Wien

Дополнительные электроды, несомненно, усложнят топологию интегральных схем, зато они позволят, регулируя величину приложенного управляющего напряжения, менять транзисторы p-МОП на n-МОП (и наоборот), а также плавно подстраивать их электрические характеристики. «С помощью наших реконфигурируемых транзисторов можно вместо перенаправления информации в разные специализированные обрабатывающие блоки менять функции одного блока», - объяснил профессор факультета твердотельной электроники Венского технического университета Вальтер Вебер.